pn结击穿电压公式（pn结的击穿电压）

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选用场效应管时应注意哪些事项

具体而言，在进行场效应管选型时，应考虑以下几点：首先，要根据实际应用场景确定电压等级。过高或过低的电压都可能导致设备运行不稳定或损坏。其次，电流选择也很重要。需要根据负载的大小和工作环境选择合适的电流值，以确保设备正常运行。

选择具有更大晶片尺寸的封装件，可以提高抗雪崩能力，增强器件的稳定性。避免雪崩击穿，确保场效应晶体管的长期可靠运行。开关性能 关注栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容，以降低开关损耗，提高场效应晶体管的开关速度。计算开通过程和关闭过程的总损耗，以及栅极电荷对开关性能的影响，以优化电路设计。

首先，必须确保线路设计不超过场效应管的极限参数，如耗散功率、漏源电压、栅源电压和电流等。对于各类场效应管，如结型和MOS管，必须遵循特定的偏置规则，例如N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道不能加负偏压。

尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。

请问“在实际工程中,一般采用什么方法来计算PN结的击穿电压?”

电压表按极性接到PN结两端。从零开始加电压，注意电流表指示，开始时电流为零，电压加到某值时开始有电流，当电流达到测试条件所规定的值（如0.1mA）时，读出电压表指示值，就是该PN结的击穿电压。有的管子击穿很高，可达千伏以上，测试时注意绝缘，以免触电。

临界击穿电压定义为PN结发生临界击穿对应的电压，即为PN结的击穿电压BV。击穿电压BV是衡量PN结可靠性与使用范围的重要参数。在PN结的其他性能参数不变的情况下，BV值越高，表示PN结的耐压能力越强，使用范围更广。

性质不同：击穿电压的PN结发生临界击穿对应的电压为 PN 结的击穿电压BV。额定电压是电气设备长时间正常工作时的最佳电压。特点不同：当电气设备的工作电压高于额定电压时容易损坏设备，而低于额定电压时将不能正常工作（如灯泡发光不正常，电机不正常运转）。

当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig，由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2，产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1，产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。

pn结击穿物理释义

pn结击穿是一个电击穿，而不是热击穿，即不是由于过热引起的，而是由于电场强度过大导致的。理解并掌握pn结的击穿特性对于半导体器件的设计和应用至关重要，因为它直接影响到器件的稳定性和可靠性。在实际电路中，pn结的击穿通常是需要避免的，因为它可能导致电路故障或器件损坏。

pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。形成反偏PN结击穿的物理机制有两种：齐纳击穿和雪崩击穿。

半导体物理中，pn结的击穿现象受到多种因素的影响，包括材料的内在特性、杂质的浓度以及生产工艺。击穿过程主要可以分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三种情况。雪崩击穿和隧道击穿通常是非破坏性的，即当反向电压降低后，pn结的性能可以恢复。

PN结击穿有齐纳击穿、雪崩击穿及热击穿。齐纳击穿和雪崩击穿都是电击穿，电压降低后PN结完好如初。齐纳击穿很好的用途就是稳压，雪崩击穿通常用于白噪声源。热击穿是指温度超过了PN结的允许温度发生了物理性的击穿，温度恢复后PN结要么性能改变、要么彻底损坏。

pn结在反向高压下会发生击穿。其中雪崩击穿指势垒边缘扩散进势垒区的电子和空穴在高场下加速，获得极大动能。它们与势垒区的晶格原子碰撞，使其价电子电离，获得新的自由电子和空穴，由此1生2，2生4，载流子不断倍增，最终导致pn结击穿。

在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成电子一空穴对，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V。而齐纳击穿电压低于5V。

pn结暗电流公式

pn结暗电流公式是Ut=26mV。Is为反向饱和电流。反向击穿又分为齐纳击穿和雪崩击穿：在高掺杂的情况下，因耗尽层的宽度很窄，不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键使得电流急剧增大，称为齐纳击穿。当反向电压增加到较大的数值时，就会产生雪崩击穿。

半导体吸收光能后，产生空穴电子对，各自导出后就形成电流。在这个过程中，吸收光的同时增加了一个光生电势，而这个电势是反向的（n端为正，相当与增加了电子的漂移电流），而这部分电流就是暗电流。

①最高工作电压Umax：在无光照射时，光敏二极管反向电流不超过0.lμA时，所加的反向最高电压值。②光电流IL：光敏二极管在受到一定光线照射时，在加有正常反向工作电压时的电流值。③暗电流ID：在无光照射时，光敏二极管加有正常工作电压时的反向漏电流。

暗电流；光电流；灵敏度；结电容；正向压降；响应时间；光电二极管工作原理 [编辑本段]光电二极管工作原理光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。

请问电容器击穿电压怎么算?

临界击穿电压定义为PN结发生临界击穿对应的电压，即为PN结的击穿电压BV。击穿电压BV是衡量PN结可靠性与使用范围的重要参数。在PN结的其他性能参数不变的情况下，BV值越高，表示PN结的耐压能力越强，使用范围更广。

电容器击穿电压，指的是电容器的介质能够承受的最大电压。当电容器所承受的电压超过这个击穿电压时，介质可能会被击穿，导致电容器失效。简单来说，击穿电压就是电容器的临界电压值。电介质εr击穿场强，表示介质在电压作用下，承受的最大电场强度。它与击穿电压紧密相关，可以用来计算击穿电压。

你好！电容的耐电压是指能承受击穿的电压，500V大于50V的10倍，500V能承220V、380V的电压，50V能承受的是低于50V电压。

试验击穿电压叫打压，两极板距离确定后，可做加压试验，确认击穿的的电压为击穿电压，没击穿前的电压为耐压值。

稳压二极管pn结的个数是多少

稳压二极管有一个PN结。PN结具有反向特性，如果PN反向接入电路，当电流超过阈值，就会发生击穿现象，击穿现象有两种，雪崩击穿和齐纳击穿。整流二极管被击穿之后导致内部电子和空穴结构遭到破坏，一般无法恢复，因此不能再次使用。

稳压二极管，pn结类型的，一定要有限流的东西的，绝对不能直接接电源。通常用电阻限流 稳压管击穿后的电压就是标称的稳压值啊。它的电压和电源电压无关，是固定的稳压值，多余的电压落在限流电阻上，所以一定要有限流电阻。

纠正你一个错误，稳压二极管都是1NXXXX，一般不会出现你所说的2N，如果是后者，应该是三极管或者场效应管，N前面的数字是PN结数量的意思，1N代表1个PN结，也就是二极管。PS：顺便查了一下，2N4735，查询结果是没有这个型号，请你重新核对。